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Semiconductor Wafer-Endeffektor |
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| Technische Daten | ||
| Elektrische Ausrüstung | 30 W, 230 / 110 V | |
| Verfügbare Oberflächenmaterialien | Eloxiertes Aluminium | |
| Teflonbeschichtetes Aluminium | ||
| Quarzglas | ||
| Gewicht | 1700 g | |
| Abstand (System-Werkstück) | 100 μm | |
| Substratgrößen | 4-18 | |
Produktvorteile
- Die Ultraschalllager-Technologie bietet eine Vielzahl von Vorteilen gegenüber anderen Lösungen nach dem aktuellen Technikstand
- Keine Beschädigungen der Oberfläche aufgrund der berührungslosen Handhabung
- Keine Partikelablagerung, keine Auswirkungen auf Ihre Reinraumbedingungen
- Hohe Ebenheit des Substrats während des Transferprozesses
Applikationen
- Beladen und Entladen
- Greifen
- Wenden
Highlights
- Kein mechanischer Kontakt zwischen Handhabungsgerät und Wafer
- Handhabung auf bearbeiteten / beschichteten Oberflächen
- Oberseitengreiffen (spezielles Design)
Kombinierbare Produkte
